Ce logiciel est dédié à la simulation, à l’échelle atomique et par Monte Carlo Cinétique, du dépôt des matériaux à fortes permittivités (High –k) de première génération : ZrO2 et HfO2, sur du Si légèrement oxydé. Ces matériaux permettent d’augmenter l’épaisseur des oxydes de grille dans les transistors MOS, donc d’éliminer les courants de fuite par effet tunnel, sans diminuer les capacités électriques.

La particularité du logiciel consiste à attribuer un rôle important aux mécanismes de densification, responsables du passage de la structure covalente de la surface à la structure ionique de la couche d’oxyde. Ces mécanismes sont à l’origine de l’obtention de films denses au-delà d’une couche superficielle à l’interface semi conducteur - oxyde.

Il nécessite, comme paramètres d’entrée, les diverses enthalpies des diverses réactions possibles, ainsi que les barrières d’activation associées. Une bibliothèque de réactions, s’adressant au dépôt de ZrO2 et HfO2 à partir de précurseurs chlorés, est déjà implémentée dans le logiciel. Cette bibliothèque peut être complétée pour d’autres oxydes ou procédés.

Deux versions du logiciel, avec deux types de mécanismes de densification différents, sont actuellement disponibles.