SPARCC

Fiche dév Ens Sup - Recherche
  • Création ou MAJ importante : 11/01/10
  • Correction mineure : 13/05/13
Mots-clés

SPARCC : croissance hétéroépitaxiale des semiconducteurs avec caractérisation in situ RHEED et photoémission

Ce logiciel a été développé (ou est en cours de développement) dans la communauté de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche. Son état peut être variable (cf champs ci-dessous) donc sans garantie de bon fonctionnement.
  • Système : UNIX-like
  • Licence(s) : choix en cours, contacter l'auteur
  • Etat : en développement
  • Support : maintenu, développement en cours
  • Concepteur(s) : Mehdi Djafari Rouhani, Nejma Fazouan
  • Contact concepteur(s) : djafari@laas.fr
  • Laboratoire(s), service(s)... : LAAS

 

Fonctionnalités générales du logiciel

Ce logiciel est dédié à la simulation, à l’échelle atomique et par Monte Carlo Cinétique, de la croissance hétéroépitaxiale de semi conducteurs. Il permet de suivre l’évolution du substrat au cours du temps, en présence d’un flux d’espèce unique ou multiple.

Un module d’analyse permettant une caractérisation in situ, durant la croissance, par RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) ou par Photoémission est incorporé dans le logiciel.

Contexte d’utilisation du logiciel

Ce logiciel a été utilisé dans un cadre universitaire pour observer :

  • Le mode de croissance : en couches, en îlots ou Stranski-Krastanov,
  • Le facettage des îlots,
  • La formation de défauts d’interface, en particulier les dislocations dues au désaccord de maille,
  • L’interdiffusion entre le substrat et la couche déposée.
Publications liées au logiciel

J. Dalla Torre, G.H. Gilmer, D.L. Windt, R. Kalyanaraman, F.H. Baumann, P.L. O'Sullivan,
J. Sapjeta, M. Djafari Rouhani
Microstructure of thin tantalum films sputtered onto inclined substrates : experiments and atomistic simulations
J. Appl. Phys. 83 (2003) 542

J. Dalla Torre, G.H. Gilmer, M. Djafari Rouhani
Imperfect wetting of deposited thin films: Monte Carlo simulations and nucleation model
Phys. Rev. B 69 (2004) 195414

N. Fazouan, H. Atmani, M. Djafari Rouhani, A. Esteve
Monte Carlo growth and in situ characterization of AlxGa1-xAs heteroepitaxy,
Comput. Mat. Sci. 33 (2005) 382